mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的
開(kāi)關(guān)三極管（Switch transistor）的外形與普通三極管外形相同，它工作于截止區(qū)和飽和區(qū)，相當(dāng)于電路的切斷和導(dǎo)通。由于它具有完成斷路和接通的作用，被廣泛應(yīng)用于各種開(kāi)關(guān)電路中，如常用的開(kāi)關(guān)電源電路、驅(qū)動(dòng)電路、高頻振蕩電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、脈沖電路及輸出電路等
在開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)管中常用的是MOS管，那是因?yàn)?/span>
1、MOS管比三極管來(lái)說(shuō)損耗更低，
2、MOS管為電壓驅(qū)動(dòng)型，有電壓就能夠?qū)?/span>
3、MOS管的溫度控制特性（導(dǎo)熱、發(fā)熱）比三極管好
4、MOS管驅(qū)需要的動(dòng)率小一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以控制大電源電流，方便。三極管需要需要幾級(jí)推動(dòng)電路，將控制電流逐步加大，也就是多級(jí)放大，常見(jiàn)的方式是達(dá)林頓電路，這樣在設(shè)計(jì)電路時(shí)就很繁瑣了，調(diào)試也費(fèi)勁。
5、MOS管是電壓控制器件，柵極電流極小，MOS管飽和導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的壓降低，耗散功率小，效率也更高
6、MOS管開(kāi)關(guān)靜態(tài)時(shí)漏電小，功耗小
7、MOS管缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度慢
以上內(nèi)容為開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管MOS特性針對(duì)三極管來(lái)對(duì)比的，在眾多開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管應(yīng)用中，由于MOS特點(diǎn)比較好，所以普遍被應(yīng)用
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